IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

(资料图片仅供参考)

根据中研普华研究院撰写的《2023-2028年中国IGBT芯片行业发展现状分析及投资前景预测研究报告》显示：

IGBT芯片行业发展现状前景分析

作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。

IGBT芯片行业市场供给现状

IGBT制造属于资本密集型行业，其产业链较长，包括芯片设计、芯片制造、模块制造、测试等环节;部分设备依赖进口，成本高昂。产品研发阶段亦需要较长研发时间和较高研发成本。

根据Yole的数据显示，2019-2021年我国IGBT行业的产量分别为1550万只、2020万只、2580万只。考虑到IGBT行业主要产品是模块，而模块主要采用多个IGBT芯片并联方式，模块内IGBT芯片用量主要与整体电流、电压规格相关;且我国IGBT厂商部分芯片采购于英飞凌等国际巨头，并非完全自产自销，综上，若以1：2.5的比例测算，2021年我国IGBT芯片产量约为6450万片。

IGBT芯片位于IGBT产业链上游，下游产品主要是IGBT模块、单管、IPM等。目前，我国IGBT产业链上主要竞争者有斯达半导、时代电气、士兰微等

IGBT行业维持高景气度

据业内人士透露，IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧，且主流IDM厂一路看好其长期需求;只是这波缺货，没有吸引太多6、8吋晶圆厂投入IGBT扩产行列。自2020年汽车缺芯以来，汽车芯片结构性缺芯愈发明显，IGBT一直处于紧缺状态。在2022年下半年，其甚至超越车用MCU，成为影响汽车扩产的最大掣肘。

2023年，汽车MCU和IGBT依然是汽车“缺芯”的主角，尤其是IGBT，更是有价无货，业界表示“现在不是价格多高的问题，而是根本买不到”。

IGBT此番供不应求，主要是受电动车、光伏两大主流应用需求大增的影响。目前，下游新能源汽车和新能源发电等领域持续快速发展，IGBT行业持续维持高景气度。

IGBT芯片行业报告对中国IGBT芯片行业的发展现状、竞争格局及市场供需形势进行了具体分析，并从行业的政策环境、经济环境、社会环境及技术环境等方面分析行业面临的机遇及挑战。还重点分析了重点企业的经营现状及发展格局，并对未来几年行业的发展趋向进行了专业的预判。

本报告同时揭示了IGBT芯片市场潜在需求与潜在机会，为战略投资者选择恰当的投资时机和公司领导层做战略规划提供准确的市场情报信息及科学的决策依据，同时对政府部门也具有极大的参考价值。

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